Samsung MZ-V8P2T0BW intern solid state drev M.2 2000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe

1.139 DKK

Samsung MZ-V8P2T0BW. SDD-kapacitet: 2000 GB, SSD-formfaktor: M.2, Læsehastighed: 7000 MB/s, Skrivehastighed: 5100 MB/s, Komponent til: PC/notebook

50 På fjernlager klar til afsendelse

Yderligere information

Diverse
Producent Samsung
Vægt & størrelser
Bredde 80,2 mm
Dybde 2,38 mm
Højde 22,1 mm
Vægt 9 g
Strømstyring
Driftsspænding 3,3 V
Strømforbrug (maks.) 7,2 W
Strømforbrug (gennemsnitlig) 6,1 W
Strømforbrug (standby) 0,035 W
Driftsbetingelser
Driftstemperatur (T-T) 0 - 70 °C
Maksimal driftstemperatur 70 °C
Stød under drift 1500 G
Emballeringsdata
Pakketype Kasse
Funktioner
SSD-formfaktor M.2
SDD-kapacitet 2 TB
Grænseflade PCI Express 4.0
Hukommelsestype V-NAND MLC
NVMe Ja
Komponent til PC/notebook
Hardware kryptering Ja
NVMe version 1.3c
Sikkerhedsalgoritmer 256-bit AES
Læsehastighed 7000 MB/s
Skrivehastighed 5100 MB/s
Tilfældig læsning (4KB) 1000000 IOPS
Tilfældig skrivning (4KB) 1000000 IOPS
PCI Express-grænseflade data baner x4
Understøtter S.M.A.R.T. Ja
Understøttelse af TRIM Ja
Gennemsnitstid mellem fejl (MTBF) 1500000 t
Logistik data
Harmoniseret systemkode (HS) 84717070